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我國首個5G微基站射頻芯片成功流片

作者:時間:2020-03-04來源:科技日報收藏

據科技日報報道,從南京經濟技術開發區獲悉,我國首個,在南京宇都通訊科技有限公司經過自主研發流片成功,目前正在進行封裝測試。

本文引用地址:http://www.mzugvc.icu/article/202003/410546.htm

項目是我們自主研發的有線射頻寬帶芯片組的拓展?!眹姨仄笇<?、美國麻省理工學院博士王俊峰介紹說,在推出之前,公司通過研發有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片,擁有了長期的射頻芯片技術積累。

據悉,HiNOC2.0是我國下一代有線射頻寬帶廣電接入標準,南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實現600兆每秒的下行速率,完全可與國際巨頭的同類產品對標。在中國廣播科學研究院進行的標準測試中,搭載這組芯片的設備在85dB的線路衰耗下仍可接入,相比對標的國際巨頭同類產品,抗衰減能力提升了10dB左右,這使其更能適應國內復雜、惡劣的網絡環境。2019年4月,中國工程院院士倪光南領銜的專家組對HiNOC2.0芯片組進行技術鑒定,認定該芯片組在系統性能上達到了國際同類產品的先進水平,而其中射頻芯片部分性能優于國際同類產品。

王俊峰介紹,不光覆蓋700MHz廣電頻段,也兼容了工信部2月初剛剛頒發許可的3.3—3.4GHz的電信/聯通/廣電共享室內頻段,可以說是為5G時代室內共享微基站量身定做的芯片。 



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